[发明专利]用于制造SiOx(X＜1)的方法无效
| 申请号： | 200710167618.7 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101173346A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 福冈宏文;荒又干夫;宫脇悟 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用于制造SiOx的方法。制造的SiOx(x＜1)在锂离子二次电池的制造中适合于用作阳极材料，该二次电池具有随着重复使用循环不会衰减的大容量，并在初始充放电中具有低的不可逆容量。用于制造SiOx(x＜1)的方法，包括步骤：在惰性气体存在下或降低的压力下将产生氧化硅气体的起始原料加热到1,100至1,600℃范围内的温度以产生氧化硅气体，同时在惰性气体存在下或降低的压力下将金属硅加热到1,800至2,400℃范围内的温度以产生硅气体，并在基体表面上沉淀氧化硅气体和金属硅气体的气体混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 sio sub 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造SiOx(x＜1)的方法，包括步骤：在惰性气体的存在下或降低的压力下将产生氧化硅气体的起始原料加热到在1,100至1,600℃范围内的温度以产生氧化硅气体，同时在惰性气体存在下或降低的压力下将金属硅加热到在1,800至2,400℃范围内的温度以产生硅气体，并在基体表面上沉淀氧化硅气体和金属硅气体的气体混合物。
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