[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明的非易失性半导体存储装置包括具有主表面的半导体衬底(SB)、多个存储晶体管(MT)、多个选择晶体管(ST)。多个存储晶体管(MT)分别具有在主表面上相互层叠而形成的浮动栅极(FG)和控制栅极(CG)。多个选择晶体管(ST)分别具有在主表面上相互层叠而形成的下侧栅极层(G2)和上侧栅极层(G1)，并且和多个存储晶体管(MT)的一个一起包含在存储单元(MC)中。下侧栅极层(G2)按照多个选择晶体管(ST)的每一个被分离。上侧栅极层(G1)由多个选择晶体管(ST)共有，并且，电连接到多个选择晶体管(ST)的每一个的下侧栅极层(G2)。由此，可防止选择晶体管ST和存储晶体管MT的短路。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：具有主表面的半导体衬底(SB)；多个存储晶体管(MT)，分别具有在所述主表面上相互层叠而形成的浮动栅极(FG)和控制栅极(CG)；多个选择晶体管(ST)，分别具有在所述主表面上相互层叠而形成的下侧栅极层(G2)和上侧栅极层(G1)，并且，分别与所述多个存储晶体管(MT)的一个一起包含在存储单元(MC)中，所述下侧栅极层(G2)按照所述多个选择晶体管(ST)中的每一个被隔离，所述上侧栅极层(G1)由所述多个选择晶体管(ST)共有，并且，电连接到所述多个选择晶体管(ST)的每一个的所述下侧栅极层(G2)。