[发明专利]晶圆薄化方法有效
申请号: | 200710168077.X | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN101150059A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 蔡裕斌;黄正一 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽;刁文魁 |
地址: | 台湾省高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶圆薄化方法,包括:提供一晶圆,该晶圆具有一主动面及一背面,在该主动面上设有若干个突起元件,将该晶圆放置在一模具内,并在该模具内形成一高分子材料,该高分子材料至少覆盖该晶圆的主动面,固化该高分子材料并移除模具,之后,研磨该晶圆的背面以薄化该晶圆,最后,移除该高分子材料以显露出该晶圆的主动面与设置于该主动面的这些突起元件。该晶圆薄化方法利用该模具使该高分子材料覆盖该晶圆的主动面并包覆这些突起元件,使得研磨该晶圆时所产生的应力平均分布于该晶圆,以防止该晶圆翘曲、破片、崩裂或突起元件剥离。 | ||
搜索关键词: | 晶圆薄化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆薄化方法,包含:提供一晶圆,该晶圆具有一主动面及一背面;覆盖该晶圆的主动面;以及研磨该晶圆的背面;其特征在于:在覆盖该晶圆的主动面的步骤之前还包括:将该晶圆放置在一模具的一模穴内;在该模具内形成一高分子材料,该高分子材料至少覆盖该晶圆的主动面,在覆盖该晶圆的主动面的步骤之后还包括:固化该高分子材料并移除该模具,在研磨该晶圆的背面的步骤之后,还包括:移除该高分子材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造