[发明专利]发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710168278.X | 申请日： | 2002-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101174665A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范征 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了发光元件，其具有由带隙能为2.2eV以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部；该发光层部具有由p型金属包层、活性层及n型金属包层相互层叠的双异型构造，且前述p型金属包层与前述n型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层，前述第一结晶层通过异型接合与前述活性层邻接，对载体显现障壁层的作用；第二结晶层在前述活性层的相反侧与该第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.发光元件，其特征在于，具有由带隙能为2.2eV以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部；该发光层部具有由p型金属包层、活性层及n型金属包层相互层叠的双异型构造，且前述p型金属包层与前述n型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层，前述第一结晶层通过异型接合与前述活性层邻接，对载体显现障壁层的作用；第二结晶层在前述活性层的相反侧与该第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。
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