[发明专利]一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法无效
| 申请号： | 200710168360.2 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101183631A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 方国家;李春;刘逆霜;杨晓霞;袁龙炎 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括：在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列。然后在火焰中烧1－10分钟，得到碳纳米管阵列场发射阴极。电场退火老化处理后形成稳定的碳纳米管发射阵列。本发明具有操作简单、成本低廉；可以在开放的大气环境下(无需真空设备)生长碳纳米管阵列；而且可将碳纳米管的生长和冷阴极阵列的组装一次性制备完成优点。所制得的碳纳米管阵列具有大面积、均匀、定域生长、优良的场发射特性等优点。本发明所制得的碳纳米管阵列可作为发射阴极在场发射显示器或发光光源、X－射线电子源、质谱仪电子源及其它需要电子源的场合进行应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列；然后在火焰中烧1-10分钟，电场退火老化处理后形成稳定的碳纳米管阵列场发射阴极。
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