[发明专利]铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710168369.3 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101168488A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 于军;杨斌;郑朝丹;李佳;王耘波;高俊雄;周文利 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C04B35/462;G11B9/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，属于微电子新材料与器件范围。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜使用溶胶凝胶方法制备，前躯体溶液浓度为0.04～0.05摩尔/升，在每次旋转涂覆后，都对经过烘烤、热解的薄膜进行退火处理，退火时，把薄膜样品从室温、大气环境中直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下，退火5～10分钟。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜为择优取向的多晶薄膜，晶粒呈柱状且尺寸较大，具有疲劳特性较好和结晶温度较低的优点，可与现有CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器用 柱状 掺钕钛酸铋铁电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)制备摩尔浓度为0.04～0.05摩尔/升的Bi3.15Nd0.85Ti3O12的前躯体溶液；(2)采用具有Pt为底电极的p型(100)Si作为衬底，在衬底上旋转涂覆一层前躯体溶液，匀胶速度为3600～4000转/分，匀胶时间为30～35秒；(3)烘烤涂覆有前躯体溶液的衬底，烘烤温度为150～200℃，烘烤时间为5～10分钟；(4)进行热解，热解温度为350～400℃，热解时间为5～10分钟，热解后把薄膜样品从管式炉中直接拿出，置于室温、空气环境中；(5)待薄膜样品冷却至室温后，将其直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下进行退火，退火时间为5～10分钟；(6)重复步骤(2)-步骤(5)直至获得所需厚度的薄膜；(7)将薄膜样品放入管式炉中，在空气气氛下，随炉从室温升温退火，升温速度为2～10℃/分钟，退火温度为645～655℃，退火时间为20～30分钟，得到柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜。
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