[发明专利]氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200710169305.5 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101188262A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层；形成在所述第一n型氮化物半导体层上的发光层；形成在所述发光层上的第一p型氮化物半导体层；形成在所述第一p型氮化物半导体层上的第二p型氮化物半导体层；形成在所述第二p型氮化物半导体层上的p型氮化物半导体隧道结层；形成在所述p型氮化物半导体隧道结层上的n型氮化物半导体隧道结层；形成在所述n型氮化物半导体隧道结层上的第二n型氮化物半导体层；以及其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710169305.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：桌子用的连接器
- 下一篇：用于燃料电池系统的阴极入口气流的热控制
