[发明专利]对充电对象元件供给充电电流的半导体器件有效
申请号: | 200710169323.3 | 申请日: | 2007-11-22 |
公开(公告)号: | CN101266974A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 寺岛知秀 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H02M1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种对充电对象元件(C)供给充电电流的半导体器件,该半导体器件包括:第1导电类型的半导体层(1);第2导电类型的第1半导体区(2),具有与充电对象元件(C)的第1电极耦合的第1节点(N1)和与供给电源电压的电源电位节点(NL1)耦合的第2节点(N2),并形成在半导体层(1)的主表面上;第1导电类型的第2半导体区(3),具有与电源电位节点(NL1)耦合的第3节点(N3),在第1半导体区(2)的表面上与半导体层(1)空出间隔而形成;以及电荷载流子移动限制部,限制电荷载流子从第3节点(N3)向半导体层(1)移动。 | ||
搜索关键词: | 充电 对象 元件 供给 电流 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种对充电对象元件供给充电电流的半导体器件,其特征在于,包括:第1导电类型的半导体层;第2导电类型的第1半导体区,具有与上述充电对象元件的第1电极耦合的第1节点以及与供给电源电压的电源电位节点耦合的第2节点,并形成在上述半导体层的主表面上;第1导电类型的第2半导体区,具有与上述电源电位节点耦合的第3节点,在上述第1半导体区的表面上与上述半导体层空出间隔而形成;以及电荷载流子移动限制部,限制电荷载流子从上述第3节点向上述半导体层移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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