[发明专利]对充电对象元件供给充电电流的半导体器件有效

专利信息
申请号: 200710169323.3 申请日: 2007-11-22
公开(公告)号: CN101266974A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 寺岛知秀 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H02M1/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘杰;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种对充电对象元件(C)供给充电电流的半导体器件,该半导体器件包括:第1导电类型的半导体层(1);第2导电类型的第1半导体区(2),具有与充电对象元件(C)的第1电极耦合的第1节点(N1)和与供给电源电压的电源电位节点(NL1)耦合的第2节点(N2),并形成在半导体层(1)的主表面上;第1导电类型的第2半导体区(3),具有与电源电位节点(NL1)耦合的第3节点(N3),在第1半导体区(2)的表面上与半导体层(1)空出间隔而形成;以及电荷载流子移动限制部,限制电荷载流子从第3节点(N3)向半导体层(1)移动。
搜索关键词: 充电 对象 元件 供给 电流 半导体器件
【主权项】:
1.一种对充电对象元件供给充电电流的半导体器件,其特征在于,包括:第1导电类型的半导体层;第2导电类型的第1半导体区,具有与上述充电对象元件的第1电极耦合的第1节点以及与供给电源电压的电源电位节点耦合的第2节点,并形成在上述半导体层的主表面上;第1导电类型的第2半导体区,具有与上述电源电位节点耦合的第3节点,在上述第1半导体区的表面上与上述半导体层空出间隔而形成;以及电荷载流子移动限制部,限制电荷载流子从上述第3节点向上述半导体层移动。
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