[发明专利]可调谐电容器及其方法有效
| 申请号： | 200710169417.0 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183685A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | E·J·诺瓦克;D·W·斯托特;M·S·斯蒂杜哈尔;C·K·巴罗斯;J·A·亚丹扎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种作为电容器操作的晶体管和在这样的电容器内调谐电容的相关方法的实施例。所述电容器的实施例包括场效应晶体管，所述场效应晶体管具有分别在半导体层之上和之下的前和背栅极。可以通过改变所述晶体管源极/漏极区域中的电压条件例如在所述源极/漏极区域与电压电源之间使用开关或电阻器以在两个不同的值之间选择性地变化所述电容器呈现的电容值。可选地，可以通过改变在所述晶体管内的两侧为多个源极/漏极区域的多个沟道区域中的一个或多个中的电压条件以在多个不同的值之间选择性地变化所述电容器呈现的电容值。依赖于所述沟道区域中的每一个中的导电性，所述电容器将呈现不同的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 电容器 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器包括：半导体层，具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面与所述第二表面相对，和其中所述半导体层包括邻近掺杂的区域的单一的沟道区域和在多个掺杂的区域之间的多个沟道区域中的一个；第一栅极，在所述第一表面上；以及至少一个第二栅极，在所述第二表面上，其中所述半导体层用于依赖于施加到所述掺杂的区域和所述多个沟道区域中的至少一个中的一个的电压的量来改变所述电容器的电容值。
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