[发明专利]具有扩散阻挡结构的栅极二极管非易失性存储器

摘要

具有栅极的二极管非易失性存储单元，其具有电荷储存结构，包括具有额外栅极端的二极管结构、与位于二极管节点之间的扩散阻挡结构。实施例包括个别存储单元、这种存储单元的阵列、操作所述存储单元或所述存储单元阵列的方法、以及其制造方法。

主权项

1.一种储存数据的非易失性存储元件集成电路，包括：电荷储存结构，其具有代表数据的电荷储存状态；一个或多个电荷储存电介质结构，其至少部分位于所述电荷储存结构与二极管结构之间，且至少部分位于所述电荷储存结构与栅极电压源之间；二极管结构中具有第一节点与第二节点，其由扩散阻挡结所分隔，所述第一节点与所述第二节点至少部分与所述一个或多个电荷储存电介质结构邻接，同时所述二极管结构具有截面，在其中所述第二节点具有通过绝缘电介质层与多个相邻元件隔绝的相对面。