[发明专利]基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器有效

专利信息
申请号: 200710169692.2 申请日: 2003-07-25
公开(公告)号: CN101202302A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 菅原聪;田中雅明 申请(专利权)人: 科学技术振兴机构
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66;G11C11/15;G11C11/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种自旋晶体管包括自旋注入器和自旋分析器,所述自旋注入器用于把载流子作为热载流子从第一非磁性电极注入第二非磁性电极层,所述载流子的自旋平行于构成第一铁磁阻挡层的能带边缘的自旋能带,所述自旋分析器用于通过第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋分裂,当注入第二非磁性电极的自旋偏振热载流子的自旋方向平行于第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋能带的自旋方向时,把热载流子导通到第三非磁性电极,并且当所述自旋偏振热载流子的自旋方向与注入所述第二磁性电极的自旋方向反平行时,不把所述热载流子导通到第三非磁性电极。还提供一种利用所述自旋晶体管的存储装置。
搜索关键词: 基于 自旋 滤波器 效应 晶体管 利用 非易失 存储器
【主权项】:
1.一种晶体管,它包括通过自旋滤波效应注入自旋偏振热载流子的自旋注入器和通过自旋滤波效应选择所述注入的自旋偏振热载流子的自旋分析器。
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