[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

提供一种具有FUSI栅极中的硅化物成分一定、且晶体管特性稳定的MOS晶体管的半导体装置，并提供一种在1片晶圆内具有硅化物成分不同的MOS晶体管的半导体装置。用抗蚀剂掩模(RM)覆盖半导体衬底(1)表面，然后用光刻法及干式蚀刻工艺形成使多晶硅栅极(12)的整个上面露出的开口部(OP)。然后，通过开口部(OP)将氮以离子形式注入多晶硅栅极(12)内。此时的注入能量设定成使注入离子不穿透多晶硅栅极(12)。

主权项

1.一种制造具有设于半导体衬底上第1区域的N沟道型NMOS晶体管和设于第2区域的P沟道型PMOS晶体管的半导体装置的方法，包括如下工序：(a)在所述第1区域有选择地层积第1高电介质栅绝缘膜和第1多晶硅栅极，然后在所述第1高电介质栅绝缘膜和所述第1多晶硅栅极的侧面形成第1侧壁绝缘膜，从而形成第1栅极结构，并在所述第2区域有选择地层积第2高电介质栅绝缘膜和第2多晶硅栅极，然后在所述第2高电介质栅绝缘膜和所述第2多晶硅栅极的侧面形成第2侧壁绝缘膜，从而形成第2栅极结构；(b)在所述第1栅极结构的侧面外的所述半导体衬底的表面内形成成对的第1杂质层，并在所述第2栅极结构的侧面外的所述半导体衬底的表面内形成成对的第2杂质层；(c)包括所述第1及第2栅极结构表面在内，用绝缘膜覆盖所述半导体衬底表面，然后除去所述绝缘膜，直至所述第1及第2多晶硅栅极的上面露出；(d)掩盖所述第2多晶硅栅极表面，将选自硼、氮、氧、氟及锗中的一种元素导入所述第1多晶硅栅极；以及(e)与所述第1及第2多晶硅栅极的上面相接地形成硅化物金属膜，将所述整个第1及第2多晶硅栅极完全硅化物化。