[发明专利]半导体薄膜结晶及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200710169923.X | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101271847A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林家兴;朱芳村;陈宏泽 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体组件的方法，其包括提供一衬底，于所述衬底上形成一非晶硅层，于所述非晶硅层上形成一图样化保热层；通过使用所述图样化保热层作为一屏蔽来掺杂所述非晶硅层，以在所述非晶硅层中形成一对掺杂区域，以及照射所述非晶硅层，以活化该对掺杂区域，形成一对活化区域，并在该对活化区域之间形成一结晶区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 结晶 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体元件的方法，包含：提供一衬底；于所述衬底上形成一非晶硅层；于所述非晶硅层上形成一图样化保热层；通过使用所述图样化保热层作为一屏蔽来掺杂所述非晶硅层，以在所述非晶硅层中形成一对掺杂区域；以及照射所述非晶硅层，以活化所述对掺杂区域，形成一对活化区域，并在所述对活化区域之间形成一结晶区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
