[发明专利]具有旁路二极管的反向变质太阳能电池

摘要

本发明揭示一种形成包括多结太阳能电池的半导体结构的方法，所述多结太阳能电池具有顶部子电池、中间子电池及底部子电池，所述方法包括：提供用于半导体材料的外延生长的第一衬底；在所述衬底上形成第一太阳能子电池，所述第一太阳能子电池具有第一能带隙；在所述第一子电池上形成第二太阳能子电池，所述第二太阳能子电池具有小于所述第一能带隙的第二能带隙；及在所述第二子电池上形成渐变夹层，所述渐变夹层具有大于所述第二能带隙的第三能带隙；形成第三太阳能子电池，所述第三太阳能子电池具有小于所述第二能带隙的第四能带隙以使所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配。在所述半导体结构中进一步提供旁路二极管，其中所述太阳能电池的第一极性区域与所述旁路二极管的第二极性区域相连接。

主权项

1.一种制造太阳能电池的方法，其包括：提供第一衬底；在所述衬底上沉积一系列半导体材料层，其包括第一区域及与所述第一区域隔开的第二区域，在所述第一区域中所述系列层形成旁路二极管以当所述太阳能电池被遮蔽时使电流通过，在所述第二区域中所述系列半导体材料层形成多结太阳能电池的至少一个电池；在所述系列层上提供第二衬底；及移除所述第一衬底。