[发明专利]使用十字型烃类化合物形成无定形碳层和形成低K值介电层的方法无效
申请号: | 200710170372.9 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101435073A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 金京洙;裵根鹤;金昊植 | 申请(专利权)人: | 韩商奥拓股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/452 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王达佐;韩克飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了使用十字型烃类化合物作为前体形成无定形碳层的方法和使用十字型烃类化合物形成低k值介电层的方法。本发明包括步骤(a)蒸发含有十字型烃类化合物的前体,步骤(b)通过花洒向反应室供给蒸发的前体和添加的气体,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态,以及步骤(c)在所述反应室中沉积用于硬掩模或低k值电介质的无定形碳层。 | ||
搜索关键词: | 使用 字型 化合物 形成 无定形碳 值介电层 方法 | ||
【主权项】:
1. 形成用于硬掩模的无定形碳层的方法,其包括:步骤(a),蒸发含有烃类化合物的前体,所述烃类化合物的构型方式为一对官能团与指定的碳原子结合,所述指定的碳原子为包含N(等于或大于3的自然数)个直链结合的碳原子的结构中除了第一个和第N个碳原子的碳原子,其中所述官能团中的至少一个包含甲基(-CH3);步骤(b),通过花洒向反应室供给所述蒸发的前体和添加的气体He或Ar,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态;以及步骤(c),在所述反应室中沉积用于硬掩模的无定形碳层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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