[发明专利]使用十字型烃类化合物形成无定形碳层和形成低K值介电层的方法无效

专利信息
申请号: 200710170372.9 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101435073A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 金京洙;裵根鹤;金昊植 申请(专利权)人: 韩商奥拓股份有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/452
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 王达佐;韩克飞
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了使用十字型烃类化合物作为前体形成无定形碳层的方法和使用十字型烃类化合物形成低k值介电层的方法。本发明包括步骤(a)蒸发含有十字型烃类化合物的前体,步骤(b)通过花洒向反应室供给蒸发的前体和添加的气体,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态,以及步骤(c)在所述反应室中沉积用于硬掩模或低k值电介质的无定形碳层。
搜索关键词: 使用 字型 化合物 形成 无定形碳 值介电层 方法
【主权项】:
1. 形成用于硬掩模的无定形碳层的方法,其包括:步骤(a),蒸发含有烃类化合物的前体,所述烃类化合物的构型方式为一对官能团与指定的碳原子结合,所述指定的碳原子为包含N(等于或大于3的自然数)个直链结合的碳原子的结构中除了第一个和第N个碳原子的碳原子,其中所述官能团中的至少一个包含甲基(-CH3);步骤(b),通过花洒向反应室供给所述蒸发的前体和添加的气体He或Ar,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态;以及步骤(c),在所述反应室中沉积用于硬掩模的无定形碳层。
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