[发明专利]一种可改善质量的铜导线制造方法无效
| 申请号： | 200710170747.1 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442022A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可改善质量的铜导线制造方法，用于在硅衬底上制造铜导线。现有技术直接在铜的籽晶层上进行电化学镀铜工艺，因籽晶层的亲水性能较差而使其局部区域未镀上铜，从而在制成的铜导线上产生缺口，严重影响了铜导线的质量。本发明的可改善质量的铜导线制造方法先在该硅衬底上沉积扩散阻挡层；然后在该扩散阻挡层上沉积铜的籽晶层；接着在该籽晶层生成亲水氧化层；之后通过电化学镀铜工艺在该亲水氧化层上生成铜镀层；最后在铜镀层上进行化学机械抛光工艺形成铜导线。采用本发明可避免籽晶层上局部区域镀不上铜而在铜导线上形成缺口，并可大大改善铜导线的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 质量 导线 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可改善质量的铜导线制造方法，用于在硅衬底上制造铜导线，其包括以下步骤：(1)在该硅衬底上沉积扩散阻挡层；(2)在该扩散阻挡层上沉积铜的籽晶层；其特征在于，该铜导线制造方法还包括以下步骤：(3)在该籽晶层生成亲水氧化层；(4)通过电化学镀铜工艺在该亲水氧化层上生成铜镀层；(5)在铜镀层上进行化学机械抛光工艺形成铜导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
