[发明专利]喷射清洗方法以及装置有效
| 申请号： | 200710170752.2 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101179009A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 孙震海;韩瑞津 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种喷射清洗方法以及装置，其采用雾化液体喷射的方法去除半导体硅片上的颗粒玷污，同时还包括一即时干燥步骤，所述即时干燥步骤与液体喷射步骤交替进行。本发明的喷射清洗方法以及装置利用干燥气体即时地吹干已清洗的硅片表面区域，间隔喷射的液体在每个开启周期之初总能喷射在干燥的硅片表面，从而有效地提高了清洗的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 喷射 清洗 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种喷射清洗方法，所述喷射清洗方法包括一液体喷射步骤，采用雾化液体喷射的方法去除半导体硅片上的颗粒玷污，其特征在于，所述喷射清洗方法还包括一即时干燥步骤，所述即时干燥步骤与液体喷射步骤交替进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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