[发明专利]电镀方法有效
| 申请号： | 200710170952.8 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442006A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/768;C25D7/12;C25D5/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电镀方法，包括步骤：将待电镀晶片装入电镀设备内；降下所述电镀设备的电极及顶盖，令所述电极及晶片浸入所述电镀设备的电解槽内的电解液中；在所述电极间施加电流；停止在所述电极间施加电流；提起所述电极及顶盖，利用电镀设备内的水管对所述晶片进行冲洗；停止冲洗，对所述晶片进行干燥处理；取出晶片；降下所述顶盖。采用本发明的电镀方法后，有效降低了电镀后晶片表面的颗粒污染量。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电镀方法，其特征在于，包括步骤：将待电镀晶片装入电镀设备内；降下所述电镀设备的电极及顶盖，令所述电极及晶片浸入所述电镀设备的电解槽内的电解液中；在所述电极间施加电流；停止在所述电极间施加电流；提起所述电极及顶盖，利用电镀设备内的去离子水管对所述晶片进行冲洗；停止冲洗，对所述晶片进行干燥处理；取出晶片；降下所述顶盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
