[发明专利]在腔体内壁形成保护膜的预沉积方法

摘要

本发明公开了一种在腔体内壁形成保护膜的预沉积方法，涉及采用纯氢HDP-CVD工艺进行浅沟槽填充制程。采用现有的预沉积方法形成的保护膜容易在后续制程中脱落。本发明提供的预沉积方法包括：首先向腔体内输入反应气体；然后开启腔体的顶射频和侧射频，进行预沉积步骤以在腔体的内壁形成所述保护膜，其中所述预沉积步骤分两步进行：一步中顶射频的功率大于侧射频的功率；另外一步中顶射频的功率小于侧射频的功率。相较现有技术，本发明的预沉积方法形成的保护膜分布均匀且黏附好，这样在后续的纯氢HDP-CVD工艺中，保护膜不容易被剧烈运动的等离子体轰击下来，从而在填充浅沟槽的制程中减少了晶圆表面的颗粒缺陷。

主权项

1. 一种在腔体内壁形成保护膜的预沉积方法，首先向制程腔体内输入反应气体，然后开启腔体的顶射频和侧射频，进行预沉积步骤以在腔体的内壁形成所述保护膜，其特征在于，所述预沉积步骤分两步进行：其中一步中顶射频的功率大于侧射频的功率；另外一步中顶射频的功率小于侧射频的功率。