[发明专利]一种监测晶圆支撑平台平整性的方法及相应的系统有效
| 申请号： | 200710171615.0 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452817A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 杨金坡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种监测晶圆支撑平台平整性的方法，晶圆通过真空被吸附在晶圆支撑平台表面上；其中，该方法包括如下步骤：a.收集晶圆上每个曝光区域的监测参数；b.组合晶圆上所有曝光区域的表面空间位置参数，确定整片晶圆表面的监测参数；c.判断整片晶圆表面的监测参数是否超过了监测参数规格范围或持续一段时间接近监测参数规格范围，如果判断结果为是，则说明晶圆支撑平台出现问题。本发明还提供一种与监控晶圆支撑平台平整性的方法相应的系统。与现有技术相比，本发明的监控系统和方法可以更为精确和实时的监控晶圆支撑平台的性能，而且该系统和方法比较简单易于实现，实现成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 支撑 平台 平整 方法 相应 系统 | ||
【主权项】：
1、一种监测晶圆支撑平台平整性的方法，晶圆通过真空被吸附在晶圆支撑平台表面上；其特征在于，该方法包括如下步骤：a. 收集晶圆上每个曝光区域的监测参数；b. 组合晶圆上所有曝光区域的表面空间位置参数，确定整片晶圆表面的监测参数；c. 判断整片晶圆表面的监测参数是否超过了监测参数规格范围或持续一段时间接近监测参数规格范围，如果判断结果为是，则说明晶圆支撑平台出现问题。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710171615.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子设备探头扩展装置及主机对扩展探头的控制方法
- 下一篇：防盗书包
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
