[发明专利]生产晶圆的第一片效应的控制方法有效
| 申请号： | 200710171616.5 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452831A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘闯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种生产晶圆的第一片效应的控制方法。对所述生产晶圆批量形成金属硅化物薄膜工艺之前，首先将挡空晶圆放入制程腔体内进行预处理步骤以优化制程腔体的环境，本发明的控制方法是：进行预处理步骤时将制程腔体的功率设置在2800-3200W的范围内。与现有技术相比，采用本发明的控制方法，经过预处理步骤后，制程腔体内氢气或者水蒸气的浓度没有增大，消除了生产晶圆的第一片效应问题。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 一片 效应 控制 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种生产晶圆的第一片效应的控制方法，在生产晶圆的表面批量形成金属硅化物薄膜工艺之前，首先将挡空晶圆放入制程腔体内进行预处理步骤以优化制程腔体的环境，其特征在于，所述控制方法是：进行预处理步骤时将制程腔体的功率设置在2800-3200W的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
