[发明专利]光刻机抗蚀剂成像仿真三维交互显示方法无效

专利信息
申请号: 200710171692.6 申请日: 2007-12-06
公开(公告)号: CN101329773A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 万旺根;崔滨;余小清 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G06T17/40 分类号: G06T17/40;G06T15/70
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种光刻机抗蚀剂成像仿真三维交互显示方法,本方法首先根据掩模图形进行空间像强度分布计算,得到抗蚀剂成像仿真数据,再对成像仿真数据进行重新排列,通过光照强度与深度转换模型将成像仿真结果变为三维模型点云数据,并通过基于图形处理器的连续层次方法进行硅晶圆表面抗蚀剂地形的细节处理和渲染计算,实现仿真结果的三维(3D)实时绘制和实时交互式漫游。本发明实现集成电路芯片设计中光刻仿真数据在三维空间中的实时可观察性和交互性。
搜索关键词: 光刻 机抗蚀剂 成像 仿真 三维 交互 显示 方法
【主权项】:
1、一种光刻机抗蚀剂成像仿真数据三维交互显示方法,其特征在于具体操作步骤如下:a.光刻机与掩模版的参数输入,输入的参数包括光刻机的曝光波长、投影光学镜头数值孔径、相干因子,离焦、特征尺寸以及掩模版的尺寸和形状;b.抗蚀剂成像仿真,根据目前主流的光学光刻技术,对投影式光刻机成像进行仿真,即模拟光刻机的光学照明系统把掩模上的版图转移到涂有抗蚀剂的硅片表面上,得到晶圆平面上一组密集采样点的光强分布;c.光照强度数据排序,经过光源透过掩模在硅晶圆抗蚀剂上成像仿真模拟后,会产生大量光照强度数据,对这些数据进行重新排序,以便于对晶圆表面的抗蚀剂图形进行三维建模;d.光照强度与深度转换,光刻光学成像仿真输出结果为光照强度信息,为了实现数据的三维可视化,建立光照强度与深度转换模型,将光照强度转换为三维模型的深度,形成三维点云数据;e.三维建模与实时渲染,采用三角形网格蒙片法对三维模型深度数据进行处理,逐点构造三维网格,形成三维结构模型;为了减少抗蚀剂三维模型的三角形面片数,增加交互显示时的每秒帧数,提高实时性和互动性,通过采用基于图形处理器GPU的连续层次细节技术CLOD;f.抗蚀剂图案三维交互式漫游,通过三维图形显示程序设置实现第一人称视点的三维实时显示效果。交互式控制包括视点的前进、后退、旋转、平移、仰视及俯视,实现三维场景实时漫游。
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