[发明专利]一种生长低熔点半导体材料用的滑动石英舟

摘要

一种生长低熔点半导体材料用的滑动石英舟，涉及一种生长低熔点半导体材料用的生长舟。采用高纯石英制作，由上面的压块(4)，下面的底板(1)及压块(4)上固结的石英推杆(3)组成，底板(1)上设有一个凹槽，凹槽内放置衬底(5)；压块(4)中部设有两个垂直方向贯通压块(4)的井(L1、L2)，井内放置生长溶液(2)，其平底部分的底面被抛光，光滑度达到镜面级，以便使生长出的外延层表面光滑；压块(4)与底板(1)匹配且压块(4)按需要沿底板(1)水平移动。本发明实现了在外延层与衬底之间晶格失配度＞5％下的异质外延单晶材料的生长；石英不吸附杂质，电学性能好；外延层的截止波长不随外延层厚度变化，特别适合生长窄禁带材料。

主权项

1.一种生长低熔点半导体材料用的滑动石英舟，包括下面的底板(1)，底板(1)上开设有一个凹槽，凹槽内放置衬底(5)，其特征在于：该滑动石英舟采用高纯石英原料制作，底板(1)上安装有压块(4)，压块(4)与底板(1)互相匹配且压块(4)按需要在底板(1)上沿水平方向移动或停留；压块(4)一端固结一石英推杆(3)，压块(4)中部设有两个垂直方向贯通压块(4)的井(L1、L2)，井内放置生长溶液(2)，压块(4)底部其余部分是平底，该平底部分的底面的光滑度达到镜面级，以便使生长出的外延层表面光滑。