[发明专利]模板电沉积法制备Ⅱ－Ⅵ族半导体纳米线的方法

摘要

本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II－VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO₃溶液中，搅拌，以形成SO₃^2－、HSeO₂⁺或HTeO₂⁺溶液；配制可溶性镉盐或锌盐溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；将上述配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，调节该混合电解液的PH值为1－2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；以上述制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从－1V到0V，扫描步长为0.1V/S，建立电沉积时用电流－电压曲线以确定电沉积电位；搅拌下，以上述步骤确定的电沉积电压进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。

主权项

1.一种模板电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：a.将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，使形成的SO3 2-、HSeO2 +或HTeO2 +离子的浓度为0.1～0.5mM；b.将可溶性镉盐或锌盐溶于去离子水中，配制成浓度为0.1～0.5M的溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；c.将上述步骤a和b配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，缓慢滴加0.5M HNO3或HCl，H2SO4调节该混合电解液的PH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；其中SO3 2-、HSeO2 +或HTeO2 +离子与镉离子或锌离子的摩尔比为：1∶100～1000；d.以步骤c中制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从-1V到0V，扫描步长为0.1V/S，建立电沉积时用电流-电压曲线以确定电沉积电位；e.搅拌下，以步骤d中确定的电沉积电位进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。