[发明专利]具有平行层状漏极结构的MOSFET及其漏极制造方法无效
| 申请号： | 200710172271.5 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101179094A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 戴明志;叶景良;廖宽仰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有平行层状漏极结构的MOSFET，所述的漏极结构为平行于沟道的层状三明治结构，包含依次排列的缓变掺杂的N型缓变漏极，P阱，高掺杂的N型扩散区n+。在制造该层状漏极结构时，先注入缓变掺杂的N型缓变漏极，然后确定无掺杂P区的长度，与N型缓变漏极间隔该长度的距离，注入高掺杂的N型扩散n+。本发明提供的一种具有平行层状漏极结构的MOSFET及其漏极制造方法，采用平行于沟道表面方向的层状漏极结构，以减少沟道内横向电场的增大引起的热载流子效应，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平行 层状 结构 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有平行层状漏极结构的MOSFET，包含一个具有P阱的半导体基片，一个形成在所述P阱表面上的绝缘膜上的栅极，一个形成在P阱表面中的源极结构，一个形成在P阱表面中的漏极结构，一个形成在P阱表面中的衬底结构，其特征在于，所述的漏极结构为平行于沟道的层状三明治结构，包含依次排列的缓变掺杂的N型缓变漏极NGRD，P阱，高掺杂的N型扩散区n+。
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