[发明专利]电化学或化学沉积金属层前预浸润晶片表面的方法和装置有效
| 申请号： | 200710172313.5 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101459050A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 马悦;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C25D7/12;C25D5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 201600上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明在金属沉积工艺前通过在晶片的整个前表面上预附加一液体吸附层，使得在电解液和晶片表面在相互接触时能改善它们之间的浸润。所述液体吸附层通过在(相对于晶片)升高的温度下从气相中输送蒸汽化的液体分子并将它们凝结在晶片表面上实现。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 化学 沉积 金属 层前预 浸润 晶片 表面 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种预浸润晶片表面的方法，包括：蒸汽化一液体；把蒸汽化的液体分子输送到晶片表面附近环境中；用蒸汽化液体分子置换在晶片表面附近环境中的大量空气并把它们输送到晶片表面并进入到图形化结构中；从所述蒸汽环境中凝结液体吸附层于包括图形化结构的晶片表面上；用电解液接触承载吸附液体层的晶片表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
