[发明专利]高分子PTC芯片电加热复合工艺无效
| 申请号： | 200710172503.7 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101192461A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴国臣;刘正平;王军;刘玉堂 | 申请（专利权）人： | 上海维安热电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H05B3/00 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200092上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高分子PTC芯片电加热复合工艺，包括制备高分子芯材，在芯材表面叠放金属箔片并复合，其中，所述的复合包括：将金属箔片包覆芯材的上、下表面及一个侧表面并放入压机中，将金属箔片的两端贴上金属导线接入电路，在机压的同时通电使芯材加热，制成高分子PTC芯片。优点是：本发明采用对叠置在芯材表面的金属箔片进行通电，利用通电产生的热量加上压机加压制成高分子PTC芯片，工艺简单，加热机压同时完成，制造过程中热量分布均匀，使制得的PTC芯片电气与物理特性的稳定性、一致性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 ptc 芯片 加热 复合 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高分子PTC芯片电加热复合工艺，包括制备高分子芯材，在芯材表面复合金属箔片，其特征在于所述的复合包括：将金属箔片包覆芯材的上、下表面及一个侧表面并放入压机中，将金属箔片的两端贴上金属导线接入电路，在机压的同时通电使芯材加热，制成高分子PTC芯片。
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