[发明专利]监控存储阵列的单元间距的结构以及方法有效
| 申请号： | 200710172807.3 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101211895A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监控存储阵列的单元间距的结构以及方法，用于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要求，其中，所述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子，横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子，P型阱区连出构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管，首先，提供所述静态随机存储器常态工作条件，接着，测量所述寄生的场氧晶体管的参数，最后，根据所述寄生的场氧晶体管的参数判断待监控的间距值是否符合要求。通过本发明的监控存储阵列的单元间距的结构以及方法，可以有效地监控SRAM存储阵列的单元监控是否符合要求，且具有简单易实现的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 存储 阵列 单元 间距 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监控存储阵列的单元间距的结构，用于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要求，其特征在于，所述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子，横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子，P型阱区连出构成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管，其中，所述寄生的场氧晶体管的沟道长度为待监控的间距值。
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