[发明专利]基于光刻胶斜坡宽度加权的光学近似修正模型校准方法无效
申请号: | 200710173145.1 | 申请日: | 2007-12-26 |
公开(公告)号: | CN101216662A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 朱亮 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基于光刻胶斜坡宽度加权的光学近似修正模型校准方法,特点是:在收集各个测量点的关键尺寸值的同时,也收集各个测量点对应的光刻胶斜坡宽度值;并应用于光学近似修正模型校准的过程中的加权步骤。本发明提供的这种基于光刻胶斜坡宽度加权的光学近似修正模型校准方法,其考虑将光刻胶斜坡宽度作为一个权重指示标志,不仅能够区分具有不同置信水平的一维和二维图形,并且可以将同维图形中具有不同置信水平的量测点区分开,且通过本方法校准得到的最优化的光学近似修正模型更加准确和稳定。 | ||
搜索关键词: | 基于 光刻 斜坡 宽度 加权 光学 近似 修正 模型 校准 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于光刻胶斜坡宽度加权的光学近似修正模型校准方法,其特征在于,包含以下步骤:步骤1、选择若干量测点对整个光学系统及光刻制程作采样:收集各个测量点的关键尺寸值,以及各个测量点对应的光刻胶斜坡宽度值;步骤2、将各个量测点所对应的光刻胶斜坡宽度应用于加权过程,校准光学模型;步骤3、将各个量测点所对应的光刻胶斜坡宽度应用于加权过程,校准光刻胶模型;步骤4、检查量测采样点的仿真误差,如果误差在允许的范围之内,继续步骤5;如果误差不满足上述要求,返回步骤2重新校准;步骤5、模型验证工作:选取量测采样点之外的其他点,检验模型的预测能力;步骤6、如果对模型验证得到的结果在允许的误差范围之内,则继续步骤7;如果不满足要求,返回步骤2重新校准;步骤7、生成最终的最优化的光学近似修正模型,完成光学近似修正模型校准。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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