[发明专利]用于增加SAB PH制程冗余度的方法以及系统有效
| 申请号： | 200710173153.6 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101196955A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 何军;于世瑞;程小华;王健鹏 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于增加SAB PH制程冗余度的方法以及系统，其包括：提供一预设参数单元，供使用者根据所需要达到的制程冗余度，预先设定并存储在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔的相关参数；提供一搜索单元，用于在版图的图形库中搜索出符合所述预定的在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔相关参数要求的所有图形；提供一执行单元，用于将所搜索出的所述符合要求的所有图形中填满SAB。采用本发明的用于增加SAB PH制程冗余度的方法以及系统通过消除版图上所有的在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔，从而大幅提高SAB PH制程的冗余度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增加 sab ph 冗余 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于增加自对准硅化物阻隔层(Salicide Block Layer，SAB)PH制程冗余度的方法，其特征在于，所述用于增加SAB PH制程冗余度的方法包括下列步骤：根据所需要达到的制程冗余度，预先设定在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔的相关参数；在版图的图形库中搜索出符合所述预定的在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔相关参数要求的所有图形；在搜索出的所述符合要求的所有图形中填满SAB。
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