[发明专利]片上多金属互联层组合天线有效
| 申请号： | 200710173270.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101227026A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 吴琦;金荣洪;耿军平;叶声;毛军发 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q21/00;H01Q21/30 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路技术领域的片上多金属互联层组合天线，包括：多金属互联层辐射元件、馈电穿孔、短路穿孔、二氧化硅层和硅基片。多金属互联层辐射元件中心与馈电穿孔相连，两端与短路穿孔相连，形成多金属互联层组合天线。本发明因为采用了多层金属互联层组合结构，可以有效地增加片上天线的辐射体积，缩减片上天线的尺寸，增加片上天线的阻抗带宽，显著提高片上天线在无线互联应用的传输增益，并且不占用任何额外的芯片面积。另外，本发明与主流CMOS工艺全面兼容，适用于各种电阻率的硅基片，且不需要额外的阻抗匹配部件；同时也适用于多层低温共烧陶瓷工艺，具有广泛的工艺适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 片上多 金属 互联层 组合 天线 | ||
【主权项】：
1.一种片上多金属互联层组合天线，包括：多金属互联层辐射元件(1)、馈电穿孔(2)、短路穿孔(3)、二氧化硅层(4)和硅基片(5)，所述硅基片(5)在最下方，其上方是二氧化硅层(4)，其特征在于，所述二氧化硅层(4)上方是多金属互联层辐射元件(1)、馈电穿孔(2)和短路穿孔(3)，所述多金属互联层辐射元件(1)中心与所述馈电穿孔(2)相连，两端与所述短路穿孔(3)相连。
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