[发明专利]采用有源电感负载的可调谐窄带低噪声放大器

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体为采用有源电感负载的可调谐窄带低噪声放大器。由放大器及其有源电感负载组成，其中，有源电感由两级回环接法放大器组成，通过改变前馈放大器的偏置电流改变电感值，从而改变低噪放的谐振频率。这样可以实现窄带可调谐低噪声放大器。

主权项

1.采用有源电感负载的可调谐窄带低噪声放大器，其特征在于使用6个MOS管(3、4、5、6、7、8)组成的可调有源电感作为共栅低噪声放大器的负载，同时通过由7个MOS管(9、10、11、12、13、14、15)组成的偏置电流源来改变偏置电流；其中：使用可调有源电感作为共栅低噪声放大器的负载；其中2个NMOS管(1、2)接为共源极放大器，源极输入射频信号，栅极为固定电压偏置，从漏极输出到2个节点(20、21)；2个NOMS管(3、4)为共源放大器，栅极分别连接节点(20、21)，源极均连接到偏置电流源NMOS管(9)漏极，2个NMOS管(3、4)均从漏极输出到各自负载PMOS管(7、8)漏极；2个PMOS管(7、8)为负载，栅极接固定偏置电压，源极接电源高电平；2个PMOS管(5、6)为共源接法，栅极输入分别为NMOS管(4、3)的漏极，输出为2个节点(20、21)，源极接高电平。6个MOS管(9、10、11、12、13、14、15)为前馈放大器的偏置电路；其中2个NMOS管(9、10)为电流镜，栅极相连，源极接地，NMOS管(10)栅漏相连，NMPS管(9)漏极输出接2个NMOS(3、4)源极，作为其偏置电流，NMPS管(10)漏极接2个PMOS管(11、13)漏极；3个PMOS管(12、14、15)为电流镜，栅极相连源极接高电平，PMOS管(15)栅漏相连，接参考电流Iref，2个PMOS管(12、14)漏极分别接2个PMOS管(11、13)的源极。2个PMOS管(11、13)的漏极相连，接NMOS管(10)漏极，栅极分别接控制电压Vn和V1。2个电容(16、17)2个为节点(20、23)对地的寄生电容，为等效电容。