[发明专利]层间电容器的形成方法有效
| 申请号： | 200710173566.4 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101197256A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层间电容器的形成方法，其利用一刻蚀阻挡层作为电容器介质，而无需额外的介质层淀积来形成电容器介质，同时利用同一金属层来形成上层金属连线与电容器上极板，具体包括如下步骤：于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；通过刻蚀，于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；于该电容器极板沟槽内形成一电容器上极板。与传统工艺相比，其减少了淀积与刻蚀的次数，简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层间电容器的形成方法，其特征是，包括：于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；通过刻蚀，于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；于该电容器极板沟槽内形成一电容器上极板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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