[发明专利]一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200710173617.3 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101275277A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 郑燕青;孔海宽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途，化学式为Ba3NbGa3Si2O14，属于P321空间群，其晶胞参数为a＝8.42，c＝5.16。通过固相合成方法在高温下烧结获得BNGS化合物，然后采用提拉法生长出单晶体，该晶体具有良好压电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸 镓钡铌 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1、一种硅酸镓钡铌晶体，其特征在于化学式为Ba3NbGa3Si2O14，空间群P321，晶胞参数为![]()
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