[发明专利]导模法生长掺碳蓝宝石晶体的方法无效
| 申请号： | 200710173701.5 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101280458A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨新波;徐军;李红军;程艳;赵广军;周国清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B15/04;C30B15/24 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种导模法生长掺碳蓝宝石晶体的方法，特点是采用导模法和钼制模具生长α－Al2O3:C晶体，将一定质量经高温烧结的氧化铝块体放入钼制的导模模具的坩埚中，装入提拉炉内，将提拉炉抽真空至1×10－3～1×10－4Pa，电阻加热持续升温至2050～2100℃，恒温0.5～1小时，然后下籽晶生长α－Al2O3:C晶体。将生长得到的α－Al2O3:C晶体置于氢气气氛下1000～1500℃退火炉中保温50～100小时。本发明能够快速生长具有优良热释光和光释光性能α－Al2O3:C晶体，用于高灵敏的热释光和光释光探测器制造。 | ||
| 搜索关键词： | 导模法 生长 蓝宝石 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种导模法生长掺碳蓝宝石晶体的方法，其特征是采用导模法生长α-Al2O3:C晶体，利用石墨发热体和石墨保温层中的碳在生长过程中进入蓝宝石晶体，达到掺碳的目的，然后在氢气气氛中高温退火。
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