[发明专利]一种用于新型陀螺仪信号读取图形的制作方法无效
| 申请号： | 200710175334.2 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101126641A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 胡新宁;王秋良;韩立;戴银明;黄天斌;王晖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G01C19/02 | 分类号： | G01C19/02;G01C21/18;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;成金玉 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于新型陀螺仪信号读取图形的制作方法，采用经一次溅射镀膜、一次光刻、一次离子束刻蚀获得微米级信号读取图形。其工艺步骤如下：1.在陀螺转子顶部平面溅射得到金属薄膜；2.在金属膜上旋涂光刻胶；3.进行紫外曝光及显影得到光刻胶图形；4.采用15°到30°入射角离子束进行刻蚀并去除残余光刻胶，在转子表明获得金属信号读取图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 新型 陀螺仪 信号 读取 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于新型陀螺仪信号读取图形的制作方法，其特征在于经一次溅射镀膜、一次光刻、一次离子束刻蚀获得信号读取图形；其制作工艺步骤顺序如下：步骤1、采用磁控溅射方法在陀螺转子顶部平面溅射得到金属薄膜；步骤2、在步骤1制得的金属薄膜上旋涂光刻胶，然后进行前烘；步骤3、采用紫外光刻机进行紫外曝光，曝光后烘后用显影液显影，然后进行后烘，在金属薄膜表面获得所需的光刻胶图形；步骤4、采用15°到30°入射角离子束对转子顶部进行刻蚀，并去除残余光刻胶，得到金属信号读取图形；清除转子顶部平面残余的光刻胶，得到所需的信号读取图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710175334.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
