[发明专利]一种制备硅纳米线的方法无效
| 申请号： | 200710175600.1 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101165004A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 霍海滨;戴伦;秦国刚;杨卫全;马仁敏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C04B41/53 | 分类号： | C04B41/53 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备硅纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将纳米线分散在硅衬底上；2)以所述纳米线为掩膜干法刻蚀所述硅衬底，刻蚀掉纳米线以外的硅衬底部分，得到硅纳米线。本发明采用纳米线作为掩膜，并结合ICP干法刻蚀手段，可以获得尺寸和电学性能可控制的硅纳米线，该方法操作简单、速度快、可靠，不需要采取通常的气体生长源、催化剂、高温生长炉等。本发明方法适合于制备各种硅纳米线器件，以及其他半导体纳米材料与硅相结合的器件，在发展新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面将具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备硅纳米线的方法，包括如下步骤：1)将掩膜纳米线分散固定在硅衬底上；2)以所述掩膜纳米线为掩膜干法刻蚀所述硅衬底，刻蚀掉所述掩膜纳米线以外的硅衬底部分，得到硅纳米线。
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