[发明专利]制备大面积双面铊系薄膜的退火方法无效
| 申请号： | 200710175982.8 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101195907A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈莺飞;王萍;李洁;徐晓平;黎松林;田海燕;潘军;郑东宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/34;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了制备大面积双面铊系薄膜的退火方法，包括采用数块相同厚度、与双面前驱薄膜的基片具有相同材料和晶体取向的单晶体小块，上下对称地将两块形状相同并经高温固态反应烧结的铊源与一片待退火的具有双面前驱薄膜的样品在垂直方向上等距离分开，所述前驱薄膜的样品设置在铊源中间且其中心与面积大于薄膜面积的上下铊源的中心相对准；将上述整体结构倒扣在密封的坩埚内，并连同坩埚一起置入管式炉中；然后进行退火。退火后样品上的两面薄膜电性能非常一致，并且有很好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大面积 双面 薄膜 退火 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备大面积双面铊系薄膜的退火方法，包括以下步骤：1)采用数块相同厚度、与双面溅射有前驱薄膜的基片具有相同材料和晶体取向(001)的单晶体小块，上下对称地将两块形状相同并经高温固态反应烧结的作为铊源的铊系高温超导体块材与一片待退火的双面溅射有前驱薄膜的样品在垂直方向上等距离分开，所述前驱薄膜样品设置在铊源中间且其中心与面积大于薄膜面积的上下铊源的中心相对准；2)将上述整体结构倒扣在密封的坩埚内，并连同坩埚一起置入管式炉中；3)然后进行退火，退火温度720-780℃，退火气氛为惰性气体，退火时间为3-5小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710175982.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
