[发明专利]有机高分子共聚物铁电阴极发射体和制作方法无效

专利信息
申请号: 200710176336.3 申请日: 2007-10-25
公开(公告)号: CN101419886A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 李俊杰;顾长志 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01J1/30 分类号: H01J1/30;H01J9/02
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 高存秀
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及有机高分子共聚物铁电阴极发射体和制作方法,该阴极发射体包括衬底、底电极层和顶电极层;还包括一有机铁电共聚物PVDF-TrFE层,该层厚度在500纳米-10微米之间;底电极层设置在衬底上,有机铁电共聚物PVDF-TrFE层设置底电极层上,在该有机铁电共聚物PVDF-TrFE层上设置顶电极层。该制备方法包括:在衬底上沉积一层底电极,再在底电极层上涂一层有机共聚物PVDF-TrFE铁电层,经过退火处理后,再沉积一具有预定图案的顶电极层,从而得到有机共聚物铁电阴极发射体。该阴极发射体采用有机铁电共聚物PVDF-TrFE作为发射体的铁电层,因此可以制成大面积、不同形状、轻薄、柔性的铁电发射体。由于其密度较小,重量轻,由于其柔韧性好和轻薄,还可以应用在曲面显示及微薄电子源器件上。
搜索关键词: 有机 高分子 共聚物 阴极 发射 制作方法
【主权项】:
1. 一种有机高分子共聚物铁电阴极发射体,包括衬底(1)、底电极层(2)和顶电极层(4);其特征在于,还包括一有机共聚物PVDF-TrFE薄膜层(3),所述的有机共聚物PVDF-TrFE薄膜层(3)的厚度在500纳米—10微米之间;所述的底电极层(2)设置在所述的衬底上(1),该底电极层(2)为金属铝薄膜,其厚度为150纳米-300纳米;所述的有机共聚物PVDF-TrFE薄膜层(3)设置底电极层(2)上,在该有机铁电共聚物PVDF-TrFE层(3)上设置所述的顶电极层(4),所述的顶电极层(4)为金属铝薄膜层,其厚度为150纳米-300纳米。
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