[发明专利]TFT-LCD像素结构及其制造方法有效
申请号: | 200710176467.1 | 申请日: | 2007-10-29 |
公开(公告)号: | CN101424849A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 洪美花;夏子祺 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/70 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构及其制造方法。TFT-LCD像素结构包括形成在像素区域内的像素电极,还包括水平设置在像素区域中部的栅线、相对于所述栅线垂直设置并位于所述像素区域外侧的数据线、分别设置在所述像素区域外侧且均与所述像素电极连接的数个薄膜晶体管。本发明通过在一个像素电极的外侧设置数个薄膜晶体管,在提高像素工作可靠性的前提下,有效避免了取向膜摩擦取向工艺中的不良缺陷,液晶取向质量明显提高,提高了产品的画面品质,提高了产品良品率。此外,本发明将数据线设置在像素电极的外侧,栅电极线的宽度比现有技术栅线的宽度窄,薄膜晶体管占用面积减小,提高了开口率。 | ||
搜索关键词: | tft lcd 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种TFT-LCD像素结构,包括形成在像素区域内的像素电极,其特征在于,还包括:栅线,水平设置在像素区域的中部;数据线,相对于所述栅线垂直设置,并位于所述像素区域的外侧;数个薄膜晶体管,分别设置在所述像素区域的外侧,且均与所述像素电极连接。
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