[发明专利]一种巨磁电阻传感器特性检测装置及方法有效

专利信息
申请号: 200710176491.5 申请日: 2007-10-29
公开(公告)号: CN101149424A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 钱政;陈从强;任雪蕊 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00;G01R33/09
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 代理人: 黄挺
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种巨磁电阻(GMR)传感器特性检测装置,此装置由磁场发生装置和巨磁电阻传感器放置装置构成,巨磁电阻传感器放置装置位于磁场发生装置的中心位置,磁场发生装置由磁铁位置调整机构和旋转平台构成;本发明还公开了一种巨磁电阻传感器特性检测方法,在较宽频带磁场作用下测试传感器的特性,同时可以在温度干扰信号、振动干扰信号的影响下测试传感器的特性,以全面评估温度、振动等多干扰因素综合作用下传感器性能的变化,从而从本质上建立起传感器的输入-输出特性曲线。设备结构简单,操作方便,适用于大批量情况下对巨磁电阻传感器性能的全面快速测试。
搜索关键词: 一种 磁电 传感器 特性 检测 装置 方法
【主权项】:
1.一种巨磁电阻GMR传感器特性检测装置,其特征在于:该装置包括:磁场发生装置(1)和巨磁电阻传感器放置装置(2),所述巨磁电阻传感器放置装置(2)位于所述磁场发生装置(1)的中心位置,所述磁场发生装置(1)用于通过改变磁铁位置和电机转速产生连续变化的交变磁场;所述巨磁电阻传感器放置装置(2)用于输出电压信号,对所述交变磁场进行测量。
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