[发明专利]一种纳米尺寸空气槽的制作方法无效
| 申请号： | 200710176600.3 | 申请日： | 2007-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101423188A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 屠晓光;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米尺寸空气槽的制作方法，包括：光刻步骤，在顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底表面，利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上，控制图形的最小线条尺寸在纳米量级；刻蚀步骤，采用光刻胶作掩模，利用干法刻蚀技术对顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向刻蚀槽；氧化步骤，利用热氧化技术在顶层硅材料表面形成一层薄氧化层；沉积步骤，利用化学气相沉积技术，采用沉积源材料向刻蚀槽中填充氧化硅，最终形成纳米尺寸的空气槽。本发明克服了采用传统方法难以制作三角形截面的亚微米空气槽，波导侧壁粗糙等技术难点，利用标准微电子工艺即可以制作纳米尺寸的空气槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 尺寸 空气 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：光刻步骤，在顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底表面，利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上；刻蚀步骤，采用光刻胶作掩模，利用干法刻蚀技术对顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向刻蚀槽；氧化步骤，利用热氧化技术在顶层硅材料表面形成一层氧化层；沉积步骤，利用化学气相沉积技术，采用沉积源材料向刻蚀槽中填充氧化硅，最终形成纳米尺寸的空气槽。
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