[发明专利]封装导线用的复合金属线及其制造方法有效
申请号: | 200710176884.6 | 申请日: | 2007-11-06 |
公开(公告)号: | CN101431029A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 李俊德 | 申请(专利权)人: | 李俊德 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;B21C1/00;C25D7/06 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张立成 |
地址: | 台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种可应用于半导体封装导线用的复合金属线及其制造方法,首先将金、银、铜等原料,置入于真空熔炉进行熔炼制造,并加入不同成份比例微量金属元素调配,并抽制复合金属线材。将复合金属线材由第一粗伸线机、第二粗伸线机及第一细伸线机拉伸形成预定线径的母线材。接着,将母线材进行电镀处理,于该母线材表面形成金层。将已电镀完成的母线材经第一细伸线机、极细伸线机、超极细伸线机将母线材拉伸至预定线径。最后,再将母线材进行表面清洗及热处理,使复合金属线的物理性质如断裂荷重(Breaking Load)及延展性(Elongation)为预定的所需范围。 | ||
搜索关键词: | 封装 导线 复合 金属线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种封装导线用的复合金属线的制造方法,其特征在于,包括:a)、先备有金、银、铜原料;b)、将该原料置入于真空熔炉进行熔炼,并在真空熔炉中加入不同成份比例微量金属元素,以制成复合金属合金,并经复合金属合金抽拉成复合金属线材;c)、将复合金属线材进行该线径的第一次拉伸至预定线径;d)、于该复合金属线材表面上至少电镀一层金属层;e)、在电镀后,将进行复合金属线材的线径的第二次拉伸至预定线径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李俊德,未经李俊德许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710176884.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:低折射率纳米材料减反射膜
- 下一篇:一种同轴电缆外导体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造