[发明专利]一种单层功能膜脲酶生物传感器芯片及制备方法有效
| 申请号： | 200710176922.8 | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101430303A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 夏善红;汪祖民;韩泾鸿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N27/327 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 涉及单层功能膜脲酶生物传感器芯片制备方法，在离子敏场效应晶体管的第一延长栅和参比场效应晶体管的第二延长栅上，采用电化学聚合法制备具有接近能斯特响应的pH敏感聚吡咯层及聚吡咯-脲酶层，使其同时具有固定脲酶载体材料和pH敏感材料两种功能，用于检测由脲酶催化待测溶液中的尿素而引起的pH变化。生物传感器芯片包括：聚吡咯-脲酶复合层用于将离子敏场效应晶体管、参比场效应晶体管及准参比电极构成生物传感器芯片。本发明实现聚吡咯层用于载体与敏感材料的功能，解决电位型脲酶生物传感器中载体层与敏感层分立的问题，减少工艺步骤，降低生产成本，获得较高灵敏度和良好的稳定性，建立场效应晶体管型生物芯片功能膜研究的技术平台。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 功能 脲酶 生物 传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单层功能膜脲酶生物传感器芯片，其特征在于，包括：离子敏场效应晶体管和参比场效应晶体管之间通过三个场氧化层隔离；在离子敏场效应晶体管中具有第一延长栅，第一延长栅上有一聚吡咯-脲酶层，聚吡咯-脲酶层中的聚吡咯同时具有载体和敏感材料两种功能；在参比场效应晶体管中具有第二延长栅，第二延长栅生长有聚吡咯层；具有一准参比电极位于离子敏场效应晶体管的第一延长栅和参比场效应晶体管的第二延长栅之间组成差分结构的栅区。
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