[发明专利]多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管有效
| 申请号： | 200710177246.6 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101162730A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 严利人;刘志弘;周卫 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件结构及其制造工艺范围的一种多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管。是在省略了常规SiGe HBT晶体管中的埋层和N－外延Si层结构后，直接利用衬底N+层做发射区，然后依次制作SiGe外延基区，多晶Si收集区，和发射极，基极，收集极引线而形成的电子器件结构。收集区处在结构的上层，有利于采用离子注入技术调节B－C结位置，因而更好地保证器件的性能。外基区和基极引线的部分，采用介质层与下方的发射区隔离，能够减小电容，保证器件的工作速度。倒置结构晶体管，还适于构成共发形式的SiGe单片微波集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 收集 倒置 结构 sige 结晶体 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅收集区倒置结构SiGe异质结晶体管，其特征在于，所述倒置结构晶体管是在Si衬底上，以衬底N型Si材料作发射区，从下向上依次制作SiGe基区，N型离子注入Si和N型掺杂多晶硅组成的复合收集区；在制作出引线电极后，形成同常规晶体管结构相反的倒置SiGe HBT NPN晶体管结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710177246.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芦荟唇膏及其制作方法
- 下一篇：基板平台和等离子处理装置
- 同类专利
- 专利分类
