[发明专利]一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法无效
| 申请号： | 200710177395.2 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101158029A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李明华;于广华;滕蛟;丁雷 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/58;C23C14/54 |
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| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，涉及自旋阀巨磁电阻多层膜的制备。本方法是通过磁控溅射，在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积Ta(50～60)、NiFe(20～30)、Ir(Pt)Mn(60～70)、CoFe(35～45)、NOL、CoFe(20～30)、Cu(25～30)、CoFe(45～55)、NOL、Ta(30～40)。本发明通过将Pt片放置在IrMn靶上制备反铁磁材料Ir(Pt)Mn，采用纳米氧化层插入以Ir(Pt)Mn为反铁磁层的自旋阀巨磁电阻多层膜中，其交换耦合场Hex比无纳米氧化层的自旋阀的交换耦合场Hex最大可提高40％，MR最大可提高60％，热稳定性能可提高至260－320℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 自旋 热稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，其特征在于：将Pt片放置在IrMn靶上， 通过磁控溅射制备反铁磁材料Ir(Pt)Mn，再在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积Ta50～ 60、NiFe20～30、Ir(Pt)Mn60～70、CoFe35～45、NOL、CoFe20～30、Cu25～ 30、CoFe45～55、NOL、Ta30～40，将纳米氧化层NOL插入以Ir(Pt)Mn为反铁 磁层的自旋阀巨磁电阻多层膜中，样品制备完毕后在真空退火炉中退火。
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