[发明专利]一种纳米结构出光面半导体发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710177468.8 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101159307A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 邹德恕;徐丽华;李建军 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及一种纳米结构出光面的半导体发光二极管LED。本发明是通过在常规LED的GaP层(2)上生长介质层(12)及金属层(13)后，依次利用金属层(13)作掩膜刻蚀介质层(12)和GaP层(2)上表面P型电极(11)以外的部分，制备出纳米结构出光面LED；也可以在纳米结构出光面和P型电极(11)的上表面上再覆盖一层铟锡氧化物ITO导电膜(10)，再在覆盖有ITO导电膜(10)的P型电极(11)上制备相同结构P型电极(11)。本发明具有减少光反射，提高器件性能，可以用于各种半导体发光二极管，同时其制备工艺简单，成本低、有利于批量生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 光面 半导体 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米结构出光面半导体发光二极管，包括有在衬底(7)上依次向上生长的布拉格反射层DBR(6)、N型下限制层(5)、多量子有源区(4)、P型上限制层(3)和磷化镓GaP层(2)，GaP层(2)上表面制备的P型电极，衬底(7)的下表面制备有N型电极(8)，本发明的特征在于，在所述的GaP层的上表面没有P型电极的表层刻蚀出纳米级的凹凸结构层面；也可以在凹凸结构层面和P型电极的上表面上再覆盖一层铟锡氧化物ITO导电膜(10)，再在覆盖有铟锡氧化物ITO导电膜(10)的P型电极上制备相同结构P型电极(11)。
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