[发明专利]采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法无效
| 申请号： | 200710177559.1 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101206411A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杜春雷;李淑红;董小春;史立芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法，其特征在于：首先选择合适的基底材料；在基底表面旋涂一层抗蚀剂；在抗蚀剂表面再蒸镀一层金属；然后运用微透镜列阵结构对该结构进行聚焦曝光；移走微透镜列阵结构，去掉金属层结构；对抗蚀剂进行显影，获得目标结构；最后对目标结构进行刻蚀，将结构传递到基底上；本发明通过在微透镜底层添加的金属层结构，对聚焦后的光场进行二次调制，进一步减小聚焦光斑的尺寸，因此可以进一步减小制作的目标结构的尺寸，为微纳结构的制作提供了很好的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 聚焦 光刻 成形 波长 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法，其特征在于如下步骤：(1)选择合适的基底材料；(2)在基底表面旋涂一层抗蚀剂；(3)在抗蚀剂表面再蒸镀一层金属层；(4)选择合适的微透镜列阵结构对步骤(3)所得结构进行聚焦曝光，通过调节曝光时间，在抗蚀剂内部形成需要的曝光能量分布；(5)曝光之后移走微透镜列阵结构，紧接着去掉金属层结构；(6)选择与抗蚀剂相匹配的显影液，对基底表面的抗蚀剂进行显影，获得目标结构；(7)对目标结构进行刻蚀，将结构传递到基底上。
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