[发明专利]一种在电场诱导发光中提高单线态发光比重的器件无效
| 申请号： | 200710177571.2 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101159317A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐征;赵谡玲;张福俊;徐叙瑢 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在电场诱导发光中提高单线态发光比重的器件，该器件是在ITO/SiO2/Au/OEL/Al结构的基础上，在SiO2层及p型OEL层之间加一半透电子的Au电极；在SiO2层和AL之间施加的直流电场V1＝3.5MV/cm，大的电场强度，有利于获得高能量的过热电子，SiO2层的厚度为150nm；在OEL层和ITO之间施加的直流电压V2＝10V，OEL层厚度为30nm；本发明的结构为：ITO/SiO2/Au/OEL/Al。该器件可使电场诱导的有机发光的量子效率大于其光致发光的1/4，提高了有机场致发光中单线态发光的比重及整体亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 诱导 发光 提高 单线 比重 器件 | ||
【主权项】：
1.一种在电场诱导发光中提高单线态发光比重的器件，该器件的结构包括ITO/SiO2/OEL/Al，其特征是：在ITO/SiO2/OEL/Al结构中的SiO2层及p型OEL层之间加一半透电子的Au电极；给SiO2层和AL之间施加直流电场V1＝3.5MV/cm，大的电场强度，有利于获得高能量的过热电子，SiO2层的厚度为150nm；给OEL层和ITO之间施加直流电压V2＝10V，OEL层厚度为30nm；一种在电场诱导发光中提高单线态发光比重的器件的结构为：ITO/SiO2/Au/OEL/Al。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京交通大学，未经北京交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710177571.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便携式多功能节能车用后备电源
- 下一篇：铜包铝漆包线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
