[发明专利]应用聚苯乙烯球进行聚焦光刻成形亚波长微纳结构无效

专利信息
申请号: 200710177753.X 申请日: 2007-11-20
公开(公告)号: CN101158809A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 杜春雷;李淑红;董小春;史立芳 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;B81C1/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 贾玉忠;卢纪
地址: 61020*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种应用聚苯乙烯球进行聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法,其特征在于:首先选择基底材料;在其表面依次旋涂一层抗蚀剂,蒸镀一层金属结构,再旋涂一层间隙层,最后自组装一层聚苯乙烯球;将上述结构在曝光系统中进行曝光;然后去除聚苯乙烯球、间隙层和金属层结构;将基底放入显影液中进行显影,获得目标结构;最后对目标结构进行刻蚀,将结构传递到基底上。本发明采用聚苯乙烯球充当聚焦透镜,进一步减小了透镜的周期和尺寸;并且在被曝光的抗蚀剂表面蒸镀金属结构,使得在聚焦曝光的时候,在金属内部可以激发表面等离子体,提高聚焦焦斑的分辨率,减小成形的目标结构的特征尺寸,为亚波长微纳结构的制作提供了一种有效的方法。
搜索关键词: 应用 聚苯乙烯 进行 聚焦 光刻 成形 波长 结构
【主权项】:
1.一种采用聚苯乙烯球进行聚焦光刻成形亚波长微纳结构的方法,其特征在于以下步骤:(1)选择合适的基底材料,并将其进行清洗,用高压氮气吹干;(2)在基底表面旋涂一层抗蚀剂,在抗蚀剂表面再蒸镀一层金属结构;(3)在金属层表面旋涂一层间隙层;(4)在间隙层表面自组装一层聚苯乙烯球;(5)将步骤(4)所得结构在曝光系统中进行聚焦曝光,通过调节曝光时间,在抗蚀剂内部形成需要的曝光能量分布;(6)除去聚苯乙烯球以及间隙层和金属层结构;(7)选择与抗蚀剂相匹配的显影液,对抗蚀剂进行显影,获得目标结构;(8)对目标结构进行刻蚀,将结构传递到基底上。
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